tanδ測量的意義

通過測量 tanδ，可以反映出絕緣的一系列缺陷，如絕緣受潮，油或浸漬劑臟污或老化變質，絕緣中有氣隙發生放電等。這時，流過絕緣的電流中有功電流分量增大了，tanδ也加大。絕緣中存在氣隙這種缺陷，最好通過做tanδ與外加電壓的關系曲線tanδ~U 來發現。例如對于電機線棒，如果絕緣老化，氣隙較多，則tanδ~U將呈明顯的轉折，如圖所示。Uc代表較多氣隙開始放電時的外加電壓，從tanδ增加的陡度可反映出老化的程度。

tanδ~U關系曲線

測量tanδ用的西林電橋

西林電橋的基本線路如圖所示，圖中被試品用Cx、Rx表示，C為標準電容器(tanδ≈0)，G為檢流計，R3和C4、R4為電橋的低壓臂。當被試品兩端均不接地時，用圖中（a）所示的正接法。在正接法中電橋D點直接接地，操作時比較安全。由于通常運行中的電氣設備一端都是接地的，因而這時就不得不用圖(b)所示的反接法。這時電橋調節部分是處于高電位之下，應放入法拉第籠內并對地絕緣。如電橋工作電壓僅為10kV，可不用法拉第籠，為了保證人身安全，R3、C4的調節手柄用的是絕緣柄，耐壓15kV以上，同時，電橋的帶高電位部分都放在接地的屏蔽箱內。需注意的是這時從電橋接到被試品和標準電容器的引線都是帶高壓的，這是因為電橋調節部分兩端的電壓通常只有幾伏，電源高壓實際上加在Cx、Rx上，上述引線的對地電位與電源電壓基本相同。

圖1 西林電橋的基本線路

（a）正接法（b）反接法

橋臂對地雜散電流的影響

上圖電路表示的是一種理想情況，也就是不計任何雜散或干擾電流對電橋的影響。

要在實際上達到這一點，就必須注意橋臂對地雜散電流的影響(主要是雜散電容電流的影響)。由于R3和Z4數值小，正接法中雜散電容和它們并聯產生的分流影響較小；反接法則不然。由于試品Cx和CN阻抗較大，特別是當Cx較小時，雜散電容的分流影響不能忽視。解決的辦法是：除電橋本身采用屏蔽外，電橋至試品和CN的連接線應采用屏蔽線，如上圖所示。屏蔽接在D點，這樣，由屏蔽流出的對地雜散電流直接由電源供給，不再流過橋臂對電橋平衡條件沒有影響。除采用屏蔽及屏蔽線外，在反接法線路中，還需要注意CN、Cx的引線及端部各部分表面的絕緣電阻，保持端部絕緣表面干燥、清潔，以消除雜散電流的影響。

圖2 電橋的屏蔽

（a）屏蔽帶平衡回路（b）橋臂與屏蔽間接運算放大器